Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 80.3375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG65R107M1HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG65R107M1HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R107M1HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5,7V ved 2,6mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 15 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (maks) +23V, -5V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 496 pF @ 400 V
Delestatus Ikke for nye utførelser	Effekttap (maks) 110W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7-12
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 24A (Tc)	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 18V	Baseproduktnummer IMBG65R
Rds på (maks) ved Id, Vgs 141mOhm ved 8,9A, 18V