Name: IMBG120R116M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND
Price: 78.9 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IMBG120R116M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG120R116M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 21,2A (Tc) 123W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	21,2A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	115,7mOhm ved 6A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,1V ved 1,9mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	14.4 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	500 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	123W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-7-12
Kapsling	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Baseproduktnummer	IMBG120R116

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 63,12000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 78,90000

IMBG120R116M2HXTMA1