Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 33.5625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGLR65R200D2XUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGLR65R200D2XUMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 9,2A (Tc) 34W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-8-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGLR65R200D2XUMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1,6V ved 710µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 1.26 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (maks) -10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 91 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 34W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSON-8-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 9,2A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 240mOhm @ 2,1A