Name: IAUTN06S5N008GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND
Price: 98.4625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUTN06S5N008GATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUTN06S5N008GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUTN06S5N008GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUTN06S5N008GATMA1
Beskrivelse	MOSFET_)40V 60V)
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 59A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3V ved 275µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 273 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 20280 pF @ 30 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 358W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Grad Bilteknikk
Drain til Source-spenning 60 V	Godkjenning AEC-Q101
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 59A (Ta), 350A (Tj)	Monteringstype Overflatemontering
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 7V, 10V	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOG-8-1
Rds på (maks) ved Id, Vgs 0,78mOhm ved 100A, 10V	Kapsling 8-PowerSMD, måkevinge