Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 58.825 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUT200N08S5N023ATMA1
DigiKeys produktnummer	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUT200N08S5N023ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUT200N08S5N023ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 110 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 7670 pF @ 40 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 200W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 80 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 200A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8-1
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Kapsling 8-PowerSFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.3mOhm ved 100A, 10V	Baseproduktnummer IAUT200
Vgs(th) (maks) ved Id 3.8V ved 130µA