Parametrisk ekvivalent




FF6MR12W2M1B11BOMA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
Beskrivelse | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassismontering AG-EASY2BM-2 |
Datablad | Datablad |
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Emballasje | Brett | |
Delestatus | Utdatert | |
Teknologi | Silisiumkarbid (SiC) | |
Konfigurasjon | 2 N-kanal (dobbel) | |
FET-egenskap | - | |
Drain til Source-spenning | 1200V (1,2kV) | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | 200A (Tj) | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 5.63mOhm ved 200A, 15V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 5,55V ved 80mA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 496nC ved 15V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 14700pF ved 800V | |
Effekt - maks | - | |
Driftstemperatur | -40°C – 150°C (TJ) | |
Monteringstype | Chassismontering | |
Kapsling | Modul | |
Leverandørens enhetsforpakning | AG-EASY2BM-2 | |
Baseproduktnummer |





