FF6MR12W2M1B11BOMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 15
Enhetspris : kr 1 507,15000
Datablad
AG-EASY2BM-2
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

DigiKeys produktnummer
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Chassismontering AG-EASY2BM-2
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
Emballasje
Brett
Delestatus
Utdatert
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
200A (Tj)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
5.63mOhm ved 200A, 15V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,55V ved 80mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
496nC ved 15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
14700pF ved 800V
Effekt - maks
-
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
AG-EASY2BM-2
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.