FF3MR12KM1HPHPSA1
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FF3MR12KM1HHPSA1

DigiKeys produktnummer
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Produsent
Infineon Technologies
Produsentens produktnummer
FF3MR12KM1HHPSA1
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Produsentens standard leveringstid
14 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Chassismontering AG-62MMHB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FF3MR12KM1HHPSA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Emballasje
Boks
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
190A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
4,44mOhm ved 280A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,1V ved 112mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
800nC ved 18V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
24200pF ved 800V
Effekt - maks
-
Driftstemperatur
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
AG-62MMHB
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 19
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Boks
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 3 465,79000kr 3 465,79
10kr 2 996,45400kr 29 964,54
30kr 2 859,39233kr 85 781,77
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 3 465,79000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 4 332,23750