FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
DigiKeys produktnummer	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 100A Chassismontering Modul
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Emballasje	Brett
Delestatus	Utdatert
Teknologi	Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	100A
Rds på (maks) ved Id, Vgs	11mOhm ved 100A, 15V
Vgs(th) (maks) ved Id	5.55V ved 40mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	250nC ved 15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7950pF ved 800V
Effekt - maks	-
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Chassismontering
Kapsling	Modul
Leverandørens enhetsforpakning	Modul
Baseproduktnummer	FF11MR12