Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 37.8875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSZ16DN25NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ16DN25NS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 32µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 11.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 920 pF @ 100 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 62,5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 250 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSDSON-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 10,9A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer BSZ16DN25
Rds på (maks) ved Id, Vgs 165mOhm ved 5.5A, 10V