Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 37.8875 NOK
Availability: InStock

BSC042NE7NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC042NE7NS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC042NE7NS3GATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	75 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.2mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 91µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	69 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4800 pF @ 37.5 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-1
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSC042

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 30,31000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 37,88750

BSC042NE7NS3GATMA1