Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 66.8375 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

BSC027N10NS5ATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC027N10NS5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-8-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC027N10NS5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2.7mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 146µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	111 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	8200 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 214W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-8-3
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSC027

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 53,47000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 66,83750

BSC027N10NS5ATMA1