Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 63.45 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

BSC019N08NS5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC019N08NS5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-8-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC019N08NS5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	28A (Ta), 237A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.9mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 146µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	117 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	8600 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 214W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-8-3
Kapsling	8-PowerTDFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 50,76000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 63,45000

BSC019N08NS5ATMA1