Name: AIMCQ120R080M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND
Price: 123.125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AIMCQ120R080M1TXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMCQ120R080M1TXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-AIMCQ120R080M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	AIMCQ120R080M1TXTMA1
Beskrivelse	SIC_DISCRETE
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 34A (Tc) 211W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMCQ120R080M1TXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	34A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	313,4 tommer (2022cm²)
Vgs(th) (maks) ved Id	Fleksibel 59" (1,498m)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	24 nC @ 20 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	671 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	211W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HDSOP-22
Kapsling	22-PowerBSOP-modul