Name: AIMBG120R040M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND
Price: 168.6 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AIMBG120R040M1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-AIMBG120R040M1XTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	AIMBG120R040M1XTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 54A (Tc) 268W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMBG120R040M1XTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	54A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	587nm (584nm – 597nm)
Vgs(th) (maks) ved Id	Fleksibel 1,4" (35,56mm)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	43 nC @ 20 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1264 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	268W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-7
Kapsling	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Baseproduktnummer	AIMBG120