Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 38.5875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

G080P06M
DigiKeys produktnummer	3141-G080P06MTR-ND - Tape og spole (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Båndavsnitt (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Goford Semiconductor
Produsentens produktnummer	G080P06M
Beskrivelse	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Overflatemontering TO-263
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 7.5mOhm ved 20A, 10V
Produsent Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 186 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 15870 pF @ 30 V
FET-type P-kanal	Effekttap (maks) 294W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 60 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 195A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-263
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB