MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassismontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassismontering Modul
GE12160CEA3
GE12160CEA3

GE12160CEA3

DigiKeys produktnummer
4014-GE12160CEA3-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
GE12160CEA3
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Vgs(th) (maks) ved Id
4,5V ved 480mA
Produsent
GE Aerospace
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
3744nC ved 18V
Serie
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
90000pF ved 600V
Emballasje
Bulk
Effekt - maks
3750W
Delestatus
Aktiv
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Godkjenning
AEC-Q101
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
Monteringstype
Chassismontering
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Kapsling
Modul
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
1,425kA (Tc)
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1,5mOhm ved 475A, 20V
Baseproduktnummer
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 12
MARKEDSPLASS-PRODUKT
Sendes om ca. 10 dager fra GE Aerospace
Et eget fastpris-fraktgebyr på kr 187,11 vil påløpe
Datokode-informasjonen vil bli inkludert i forsendelsen av dette produktet.
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 82 317,28000kr 82 317,28
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 82 317,28000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 102 896,60000