FDN357N Fairchild Semiconductor | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDN357N
DigiKeys produktnummer	2156-FDN357N-ND
Produsent	Fairchild Semiconductor
Produsentens produktnummer	FDN357N
Beskrivelse	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 1,9A (Ta) 500mW (Ta) Overflatemontering SOT-23-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Bulk
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	1,9A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	60mOhm ved 2.2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	5.9 nC @ 5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	235 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	500mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-23-3
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3