FCPF11N60NT er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


onsemi
På lager: 486
Enhetspris : kr 84,05000
Datablad

Direkte


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 199
Enhetspris : kr 56,32000
Datablad

Direkte


Infineon Technologies
På lager: 500
Enhetspris : kr 42,11000
Datablad

Direkte


Infineon Technologies
På lager: 373
Enhetspris : kr 35,53000
Datablad

Direkte


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 79
Enhetspris : kr 34,83000
Datablad

Similar


Central Semiconductor Corp
På lager: 0
Enhetspris : kr 18,58394
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 92
Enhetspris : kr 30,50000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 0
Enhetspris : kr 28,77000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 277
Enhetspris : kr 89,08000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 500
Enhetspris : kr 69,84000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 337
Enhetspris : kr 46,79000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 441
Enhetspris : kr 50,43000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 53,72000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 725
Enhetspris : kr 70,53000
Datablad
TO-220F-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FCPF11N60NT

DigiKeys produktnummer
FCPF11N60NT-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
FCPF11N60NT
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 10,8A (Tc) 32,1W (Tc) Gjennomgående hull TO-220F-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCPF11N60NT Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
299mOhm ved 5.4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
35.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1505 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
32,1W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220F-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.