EPC2107
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
EPC2107
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

DigiKeys produktnummer
917-1169-2-ND - Tape og spole (TR)
917-1169-1-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent
Produsentens produktnummer
EPC2108
Beskrivelse
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 60V, 100V 1,7A, 500mA Overflatemontering 9-BGA (1,35x1,35)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
EPC
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Delestatus
Utdatert
Teknologi
GaNFET (Galliumnitrid)
Konfigurasjon
3 N-kanal (halvbro + synkron stropp)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
60V, 100V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
1,7A, 500mA
Rds på (maks) ved Id, Vgs
190mOhm ved 2.5A, 5V, 3.3Ohm ved 2.5A, 5V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.5V ved 100µA, 2.5V ved 20µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
22pF ved 30V, 7pF ved 30V
Effekt - maks
-
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Overflatemontering
Kapsling
9-VFBGA
Leverandørens enhetsforpakning
9-BGA (1,35x1,35)
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 636
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt. Vis Erstatninger.
Alle prisene er i NOK
Båndavsnitt (CT)
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 25,73000kr 25,73
10kr 16,58400kr 165,84
100kr 11,35360kr 1 135,36
500kr 9,11786kr 4 558,93
Tape og spole (TR)
Antall Enhetspris Utvidet pris
2 500kr 7,41261kr 18 531,53
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 25,73000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 32,16250