MOSFET-er – matriser 300V 4A (Tc) Overflatemontering 4-SMD
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FBG30N04CSH

DigiKeys produktnummer
4107-FBG30N04CSH-ND
Produsent
EPC Space, LLC
Produsentens produktnummer
FBG30N04CSH
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Produsentens standard leveringstid
10 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 300V 4A (Tc) Overflatemontering 4-SMD
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
EPC Space, LLC
Serie
eGaN®
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
Teknologi
GaNFET (Galliumnitrid)
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
300V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
4A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
404mOhm ved 4A, 5V
Vgs(th) (maks) ved Id
2,8V ved 600µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
2.6nC ved 5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
450pF ved 150V
Effekt - maks
-
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Overflatemontering
Kapsling
4-SMD, ingen ledning
Leverandørens enhetsforpakning
4-SMD
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 3 857,46000kr 3 857,46
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 3 857,46000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 4 821,82500
1 Varer
FBG30N04CC

FBG30N04CC

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

EPC Space, LLC

kr 2 697,10000