N-kanal 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

DMWSH120H23SM3

DigiKeys produktnummer
31-DMWSH120H23SM3-ND
Produsent
Diodes Incorporated
Produsentens produktnummer
DMWSH120H23SM3
Beskrivelse
SICFET N-CH 1200V TO-247
Produsentens standard leveringstid
16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Diodes Incorporated
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
23mOhm ved 50A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
3,6V ved 17,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
217 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3962 pF @ 1000 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
349W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247
Kapsling
TO-247-3
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 30
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 262,55000kr 262,55
30kr 170,02833kr 5 100,85
120kr 167,64242kr 20 117,09
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 262,55000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 328,18750