Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 24.7875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

DMTH10H017LPDQ-13
DigiKeys produktnummer	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Tape og spole (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Båndavsnitt (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Diodes Incorporated
Produsentens produktnummer	DMTH10H017LPDQ-13
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Produsentens standard leveringstid	40 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Overflatemontering PowerDI5060-8 (Type E)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 28.6nC ved 10V
Produsent Diodes Incorporated	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1986pF ved 50V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekt - maks 1,5W (Ta), 93W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Grad Bilteknikk
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 100V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 17.4mOhm ved 17A, 10V	Leverandørens enhetsforpakning PowerDI5060-8 (Type E)
Vgs(th) (maks) ved Id 3V ved 250µA	Baseproduktnummer DMTH10