CDM22010-650 SL Central Semiconductor Corp | Diskrete halvlederprodukter

CDM22010-650 SL er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Rochester Electronics, LLC

På lager: 73 775

Enhetspris : kr 16,28000

Similar

Rochester Electronics, LLC

På lager: 10 047

Enhetspris : kr 8,74438

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 896

Enhetspris : kr 32,26000

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 1 187

Enhetspris : kr 32,26000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 445

Enhetspris : kr 28,95000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

CDM22010-650 SL
DigiKeys produktnummer	CDM22010-650SL-ND
Produsent	Central Semiconductor Corp
Produsentens produktnummer	CDM22010-650 SL
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Gjennomgående hull TO-220-3
EDA-/CAD-modeller	CDM22010-650 SL Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1Ohm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	20 nC @ 10 V
Vgs (maks)	30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1168 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2W (Ta), 156W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-220-3
Kapsling	TO-220-3
Baseproduktnummer	CDM22010