AOT8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Diskrete halvlederprodukter

AOT8N65 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

IXYS

På lager: 240

Enhetspris : kr 6,04000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhetspris : kr 1,21792

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 70

Enhetspris : kr 3,77000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AOT8N65
DigiKeys produktnummer	AOT8N65-ND
Produsent	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Produsentens produktnummer	AOT8N65
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Gjennomgående hull TO-220
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	8A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.15Ohm ved 4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	28 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1400 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	208W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-220
Kapsling	TO-220-3
Baseproduktnummer	AOT8