AOT12N60FDL er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Rochester Electronics, LLC
På lager: 1 954
Enhetspris : kr 1,54601
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 720
Enhetspris : kr 3,10000
Datablad

Similar


Rochester Electronics, LLC
På lager: 543
Enhetspris : kr 0,93281
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 5 929
Enhetspris : kr 3,24000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 1,81283
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 1,75110
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 1,65000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 98
Enhetspris : kr 5,39000
Datablad
TO-220-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AOT12N60FDL

DigiKeys produktnummer
785-AOT12N60FDL-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
AOT12N60FDL
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 12A (Tc) 278W (Tc) Gjennomgående hull TO-220
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
650mOhm ved 6A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2010 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.