AOB15S60L er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 3 807
Enhetspris : kr 35,83000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 15,30499
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 605
Enhetspris : kr 30,40000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 2 770
Enhetspris : kr 36,49000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 17,12722
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 898
Enhetspris : kr 56,97000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 39
Enhetspris : kr 58,84000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 1 214
Enhetspris : kr 37,33000
Datablad
N-kanal 600 V 15A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AOB15S60L

DigiKeys produktnummer
785-1261-2-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
AOB15S60L
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 15A TO263
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 15A (Tc) 208W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
290mOhm ved 7.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.8V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
15.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
717 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
208W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.