Vishay / Siliconix

MaxSiC™ MOSFET

Vishay MOSFET-er gir høyere ytelse og overlegen virkningsgrad for høyeffektsutrustninger

Bilde av MOSFET-en MaxSiC™ fra Vishay SiliconixMOSFET-en MaxSiCTM i silisiumkarbid (SiC) fra Vishay har en proprietær teknologi som kombinerer en virkningsfull fordel og bakdel, med både på-motstand (motstand i påslått tilstand) og vekslingsytelse, samtidig som den gir en robust enhet med liten parasittkapasitans, forbedret kortslutningsmotstandstid (short-circuit withstand time – SCWT), økt kortslutningspulsimmunitet (shoot-through-immunitet) og et konkurransedyktig elektrisk felt av gate-oksid.

Disse SiC MOSFET-ene har konkurransedyktige egenskaper for å imøtekomme markedets krav med voksde typer utrustninger som industrielle motoromformere, fotovoltaiske (PV) energikonverterings- og lagringssystemer, ombordladere, ladestasjoner, servere (datasentre) og avbruddsfrie strømforsyninger (UPS).

Egenskaper
  • Høy vekslingshastighet
  • 3 μs kortslutningspulsimmunitet (shoot-through-immunitet)
  • 1200 V drain-source-spenning
  • 139 W maksimal effekttap (overgang til varme) (TC =+25°C)
  • 29 A kontinuerlig drain-strøm (TC=+25 °C)
  • Område for grenseskikttemperatur (junction temperature) under drift fra -55 °C til +150 °C
  • Blyfri og halogenfri
  • Tilgjengelig i TO-247 3L-kapslingstype
  • RoHS-kompatibel
Bruksområder
  • Ladere
  • Drivere for hjelpemotorer
  • DC-DC-omformere (likestrøm-likestrøm)

MaxSiC MOSFETs

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET472 - Immediate$97.52Vis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
Published: 2024-09-03

Related Articles and Blogs

Reduce Losses in High-Voltage Switched-Mode Power Systems with Silicon Carbide MOSFETs Designers can take advantage of silicon carbide (SiC) technology’s core attributes and recent enhancements to increase efficiency and power density.