Gen 3 SiC Schottky-dioder på 1200 V

De 16 stk Gen 3 Schottky-diodene av silisiumkarbid (SiC) for 1200 V fra Vishay har en MPS-design (merged PIN-Schottky). De kombinerer robusthet mot høy støtstrøm med lavt spenningsfall fremover, kapasitiv ladning og reversstrømmen (revers lekkasjestrøm) for å øke virkningsgraden og påliteligheten i konstruksjoner av vekslende strømforsyning (ikke-lineær strømforsyning). Diodenes MPS-struktur, som har en bakside som er tynnet ut ved hjelp av laserglødeteknologi, reduserer spenningsfall fremover. Enhetenes lave typiske reversstrøm (revers lekkasjestrøm) reduserer ledningstap, noe som sikrer høy system-virkningsgrad ve lette laster (lett belastning) og tomgang. For å forbedre effektiviteten ytterligere har Gen 3-diodene praktisk talt ingen gjenopprettingshale, i motsetning til ultraraske dioder.

Disse diodene tilbyr AC/DC PFC og DC/DC ultrahøyfrekvent utgangsretting i FBPS- og LLC-omformere for utrustninger som solenergiomformere, energilagringssystemer, industrielle stasjoner og verktøy og datasentre.