LMG3410R050 / LMG3411R050 600 V GaN FET-effekttrinn (power stages)

Texas Instruments sine LMG3410R050 og LMG3411R050 GaN effekttrinn med integrert driver og beskyttelse gjør det mulig for konstruktører å oppnå høyere nivåer av effekttetthet og effektivitet i kraftelektronikksystemer. Enhetene har fordeler i forhold til silisium-MOSFET-er, inkludert ultralav inngangs- og utgangskapasitans, null omvendt gjenoppretting for å redusere svitsjetap med så mye som 80 %, samt lav svitsj-node dempet svingning, for å redusere EMI. Disse fordelene muliggjør tette og effektive topologier som totempæl-PFC.

LMG3410R050 og LMG3411R050 gir et smart alternativ til tradisjonelle kaskode GaN og frittstående GaN FET-er ved å integrere et unikt sett med funksjoner for å forenkle design, maksimere pålitelighet og optimalisere ytelsen til enhver strømforsyning. En integrert portdriver muliggjør bytte av 100 V/ns med nesten null V_DS dempet svingning, mindre enn 100 ns strømbegrensende respons selvbeskytter mot utilsiktede gjennomslags-hendelser, avslåingsbeskyttelse mot høy temperatur forhindrer termisk rømling, og systemgrensesnittsignaler gir mulighet for selvovervåkning.