LMG1025-Q1-enkanals portdriver for bilindustri

Texas Instruments sin LMG1025-Q1, en-kanals GaN FET med enhancement-mode på lavsiden og logisk nivå-MOSFET-driver på er konstruert for høye koblingsfrekvenser til bruksområder i bilindustri. Enheten tilbyr smal pulsbreddekapasitet, rask vekslingsspesifikasjon og lav pulsforvrengning for å forbedre ytelsen fra LiDAR-, ToF- og effektomformere betydelig. Impulsbredden på 1,25 ns muliggjør kraftigere, øyesikre diodeimpulser. Disse pulser kombinert med 300 ns forvrengning, fører til lengre rekkevidde og presise LiDAR / ToF-systemer. Driveren tilbyr en forplantningsforsinkelse på 2,9 ns, noe som forbedrer responstiden for kontrollsløyfen og den totale ytelsen til kraftomformerne betydelig. Den delte utgangen gjør at drivstyrken og timingen kan justeres uavhengig av eksterne motstander mellom OUTH, OUTL og FET-porten.

MOSFET-driveren har underspenningssperre (undervoltage lockout – UVLO) og beskyttelse mot overtemperatur (overtemperature protection – OTP) for å sikre at enheten ikke blir skadet av overbelastning eller feilforhold. LMG1025-Q1 er tilgjengelig i en kompakt, blyfri AEC-Q100 pakke kvalifisert for bilindustri som oppfyller kravene til størrelse og gateloop-induktans i bruksområder (kjøretøyer) med høy koblingsfrekvens.