Driveren IX4352NE, en SiC MOSFET og IGBT-driver for 9 A på lavsiden

Gate-driveren IX4352NE på 9A fra IXYS, en Littelfuse-teknologi, er spesielt utviklet for å drive SiC MOSFET-er og IGBT-er med høy effekt. Separate 9 A source- og kollektor-utganger (sink-utganger) gir mulighet for skreddersydd inn- og utkoblingstidspunkt, samtidig som vekslingstapene/koblingstapene minimeres. En intern negativ ladningsregulator gir en negativ gate-forspenning som kan velges av brukeren, noe som gir bedre dV/dt-immunitet og raskere utkobling (turn-off).

Kretsen for deteksjon av desaturasjon registrerer en overstrømstilstand i SiC MOSFET-enheten og starter en myk avstengning, noe som forhindrer en potensielt skadelig dV/dt-hendelse. Den ikke-inverterende logiske inngangen, IN, er TTL- og CMOS-kompatibel; interne nivåskiftere sørger for den nødvendige forspenningen for å imøtekomme negative gate-driver-forspenninger. Ytterligere beskyttelsesfunksjoner inkluderer UVLO-deteksjon (undervoltage lockout) og termisk avstengning. En åpen FAULT-utgang signaliserer en feiltilstand til mikrokontrolleren.