NOK | EUR | USD
Favoritt

Pris og anskaffelse
62 134 På lager
Kan sendes umiddelbart
 

Antall
Alle prisene er i NOK.
Prisreduksjon Enhetspris Utvidet pris
1 7.33000 kr7.33
10 6.33600 kr63.36
25 6.04080 kr151.02
100 4.38500 kr438.50
500 3.66402 kr1,832.01
1,000 3.11837 kr3,118.37

Send en forespørsel om tilbud på mengder større enn de som vises.

Enhetspris
kr7.33000

Eks. merverdiavgift (VAT)

kr9.16250

Inkl. merverdiavgift (VAT)

Alternativ emballasje
  • Tape og spole (TR)  : SISS27DN-T1-GE3TR-ND
  • Minimumsantall: 3 000
  • Antall tilgjengelig: 60 000 - Umiddelbart
  • Enhetspris: kr 2,77728
  • Digi-Reel®  : SISS27DN-T1-GE3DKR-ND
  • Minimumsantall: 1
  • Antall tilgjengelig: 62 134 - Umiddelbart
  • Enhetspris: Digi-Reel (rull)®

SISS27DN-T1-GE3

Datablad
Digi-Keys delenummer SISS27DN-T1-GE3CT-ND
Kopi  
Produsent

Vishay Siliconix

Kopi  
Produsentens delenummer SISS27DN-T1-GE3
Kopi  
Beskrivelse MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Kopi  
Produsentens standard leveringstid 8 uker
Detaljert beskrivelse

P-kanal 30V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Kopi  
Kundereferanse
Dokumenter og media
Datablad SiSS27DN
Utvalgt produkt Gen III P-Channel -40 V and -30 V MOSFETs in PowerPAK® Packages
PCN-montering/opprinnelse Multiple Devices 11/Dec/2015
HTML-dataark SiSS27DN
Produktegenskaper
Type Beskrivelse Velg alle
Kategorier
Produsent Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Emballasje Båndavsnitt (CT) 
Delestatus Aktiv
FET-type P-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Utløp (drain) til kildespenning (Vdss) 30V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs 5.6mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id 2.2V ved 250µA
Portlading (Qg) (maks) ved Vgs 140nC @ 10V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5250pF @ 15V
FET-egenskap -
Effekttap (maks) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur -50°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pakke/veske PowerPAK® 1212-8S
Artikkelnummer, base SISS27
 
Miljø- og eksportklassifiseringer
RoHS-status Samsvarer med ROHS3
Fuktigfølsomhetsnivå (MSL) 1 (ubegrenset)
Du er kanskje også interessert i

NTS4001NT1G

MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3

ON Semiconductor

kr 3,19000 Detaljer

RB751S40T1G

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523

ON Semiconductor

kr 1,38000 Detaljer

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

kr 5,17000 Detaljer

BLM18PG121SN1D

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

Murata Electronics

kr 0,86000 Detaljer

D5V0L1B2S9-7

TVS DIODE 5V 14V SOD923

Diodes Incorporated

kr 2,33000 Detaljer

SI2347DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3

Vishay Siliconix

kr 3,88000 Detaljer
Ytterligere resurser
Standardemballasje 1
Andre navn SISS27DN-T1-GE3CT