NOK | EUR | USD
Favoritt

BSZ036NE2LSATMA1 N-kanal 25V 16A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8-FL
Pris og anskaffelse
25 055 På lager
Kan sendes umiddelbart
 

Antall
Alle prisene er i NOK.
Prisreduksjon Enhetspris Utvidet pris
1 7.67000 kr7.67
10 6.65500 kr66.55
25 6.34760 kr158.69
100 4.60830 kr460.83
500 3.85038 kr1,925.19
1,000 3.27698 kr3,276.98
2,500 2.91856 kr7,296.40

Send en forespørsel om tilbud på mengder større enn de som vises.

Enhetspris
kr7.67000

Eks. merverdiavgift (VAT)

kr9.58750

Inkl. merverdiavgift (VAT)

Alternativ emballasje
  • Tape og spole (TR)  : BSZ036NE2LSATMA1TR-ND
  • Minimumsantall: 5 000
  • Antall tilgjengelig: 20 000 - Umiddelbart
  • Enhetspris: kr 2,76495
  • Digi-Reel®  : BSZ036NE2LSATMA1DKR-ND
  • Minimumsantall: 1
  • Antall tilgjengelig: 25 055 - Umiddelbart
  • Enhetspris: Digi-Reel (rull)®

BSZ036NE2LSATMA1

Datablad
Digi-Keys delenummer BSZ036NE2LSATMA1CT-ND
Kopi  
Produsent

Infineon Technologies

Kopi  
Produsentens delenummer BSZ036NE2LSATMA1
Kopi  
Beskrivelse MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Kopi  
Produsentens standard leveringstid 39 uker
Detaljert beskrivelse

N-kanal 25V 16A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8-FL

Kopi  
Kundereferanse
Dokumenter og media
Datablad BSZ036NE2LS
Andre relaterte dokumenter Part Number Guide
Utvalgt produkt Data Processing Systems
PCN-design/spesifikasjon OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-montering/opprinnelse Mult Dev Site Add 30/Oct/2020
PCN-emballasje Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulasjonsmodeller MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model
Produktegenskaper
Type Beskrivelse Velg alle
Kategorier
Produsent Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballasje Båndavsnitt (CT) 
Delestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Utløp (drain) til kildespenning (Vdss) 25V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 16A (Ta), 40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.6mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Portlading (Qg) (maks) ved Vgs 16nC @ 10V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1200pF @ 12V
FET-egenskap -
Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning PG-TSDSON-8-FL
Pakke/veske 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifiseringer
RoHS-status Samsvarer med ROHS3
Fuktigfølsomhetsnivå (MSL) 1 (ubegrenset)
Du er kanskje også interessert i

FDS8842NZ

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

ON Semiconductor

kr 9,83000 Detaljer
Ytterligere resurser
Standardemballasje 1
Andre navn BSZ036NE2LSATMA1CT
BSZ036NE2LSCT
BSZ036NE2LSCT-ND