NOK | EUR | USD
Favoritt

BSC052N03LSATMA1 N-kanal 30V 17A (Ta), 57A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-6
Pris og anskaffelse
30 694 På lager
Kan sendes umiddelbart
 

Antall
Alle prisene er i NOK.
Prisreduksjon Enhetspris Utvidet pris
1 7,41000 kr 7,41
10 6,38700 kr 63,87
25 6,09280 kr 152,32
100 4,42210 kr 442,21
500 3,69488 kr 1 847,44
1 000 3,14458 kr 3 144,58
2 500 2,80064 kr 7 001,60

Send en forespørsel om tilbud på mengder større enn de som vises.

Enhetspris
kr 7,41000

Eks. merverdiavgift (VAT)

kr 9,26250

Inkl. merverdiavgift (VAT)

Alternativ emballasje
  • Tape og spole (TR)  : BSC052N03LSATMA1TR-ND
  • Minimumsantall: 5 000
  • Antall tilgjengelig: 30 000 - Umiddelbart
  • Enhetspris: kr 2,65324
  • Digi-Reel®  : BSC052N03LSATMA1DKR-ND
  • Minimumsantall: 1
  • Antall tilgjengelig: 30 694 - Umiddelbart
  • Enhetspris: Digi-Reel (rull)®

BSC052N03LSATMA1

Datablad
Digi-Keys delenummer BSC052N03LSATMA1CT-ND
Kopi  
Produsent

Infineon Technologies

Kopi  
Produsentens delenummer BSC052N03LSATMA1
Kopi  
Beskrivelse MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Kopi  
Produsentens standard leveringstid 52 uker
Detaljert beskrivelse

N-kanal 30V 17A (Ta), 57A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-6

Kopi  
Kundereferanse
Dokumenter og media
Datablad BSC052N03LS
Andre relaterte dokumenter Part Number Guide
Utvalgt produkt Data Processing Systems
PCN-design/spesifikasjon OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-montering/opprinnelse Mult Dev Assembly Site Add REV 12/Jul/2019
PCN-emballasje Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulasjonsmodeller MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
Produktegenskaper
Type Beskrivelse Velg alle
Kategorier
Produsent Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballasje Båndavsnitt (CT) 
Delestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Utløp (drain) til kildespenning (Vdss) 30V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 17A (Ta), 57A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs 5.2mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Portlading (Qg) (maks) ved Vgs 12nC @ 10V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 770pF @ 15V
FET-egenskap -
Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-6
Pakke/veske 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifiseringer
RoHS-status Samsvarer med ROHS3
Fuktigfølsomhetsnivå (MSL) 1 (ubegrenset)
Du er kanskje også interessert i

ACASA1002E3002P100

RES ARRAY 4 RES MULT OHM 1206

Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

kr 13,27000 Detaljer

BSC011N03LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON

Infineon Technologies

kr 13,79000 Detaljer

BSC065N06LS5ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON

Infineon Technologies

kr 10,09000 Detaljer

SN74LVC1G08DCKR

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

Texas Instruments

kr 2,50000 Detaljer

FZT653TA

TRANS NPN 100V 2A SOT-223

Diodes Incorporated

kr 5,86000 Detaljer

VB20150C-E3/4W

DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

Vishay Semiconductor Diodes Division

kr 15,60000 Detaljer
Ytterligere resurser
Standardemballasje 1
Andre navn BSC052N03LSATMA1CT
BSC052N03LSCT
BSC052N03LSCT-ND