NOK | EUR | USD
Favoritt

BSC050NE2LSATMA1 N-kanal 25V 39A (Ta), 58A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-5
Pris og anskaffelse
60 490 På lager
Kan sendes umiddelbart
 

Antall
Alle prisene er i NOK.
Prisreduksjon Enhetspris Utvidet pris
1 7,07000 kr 7,07
10 6,13700 kr 61,37
25 5,85120 kr 146,28
100 4,24790 kr 424,79
500 3,54902 kr 1 774,51
1 000 3,02045 kr 3 020,45
2 500 2,69010 kr 6 725,24

Send en forespørsel om tilbud på mengder større enn de som vises.

Enhetspris
kr 7,07000

Eks. merverdiavgift (VAT)

kr 8,83750

Inkl. merverdiavgift (VAT)

Alternativ emballasje
  • Tape og spole (TR)  : BSC050NE2LSATMA1TR-ND
  • Minimumsantall: 5 000
  • Antall tilgjengelig: 60 000 - Umiddelbart
  • Enhetspris: kr 2,57538
  • Digi-Reel®  : BSC050NE2LSATMA1DKR-ND
  • Minimumsantall: 1
  • Antall tilgjengelig: 60 490 - Umiddelbart
  • Enhetspris: Digi-Reel (rull)®

BSC050NE2LSATMA1

Datablad
Digi-Keys delenummer BSC050NE2LSATMA1CT-ND
Kopi  
Produsent

Infineon Technologies

Kopi  
Produsentens delenummer BSC050NE2LSATMA1
Kopi  
Beskrivelse MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Kopi  
Produsentens standard leveringstid 39 uker
Detaljert beskrivelse

N-kanal 25V 39A (Ta), 58A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-5

Kopi  
Kundereferanse
Dokumenter og media
Datablad BSC050NE2LS
Andre relaterte dokumenter Part Number Guide
Utvalgt produkt Data Processing Systems
PCN-design/spesifikasjon OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-montering/opprinnelse Mult Dev Assembly Site Add REV 12/Jul/2019
PCN-emballasje Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulasjonsmodeller MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model
Produktegenskaper
Type Beskrivelse Velg alle
Kategorier
Produsent Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballasje Båndavsnitt (CT) 
Delestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Utløp (drain) til kildespenning (Vdss) 25V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 39A (Ta), 58A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs 5mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Portlading (Qg) (maks) ved Vgs 10,4nC @ 10V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 760pF @ 12V
FET-egenskap -
Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-5
Pakke/veske 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifiseringer
RoHS-status Samsvarer med ROHS3
Fuktigfølsomhetsnivå (MSL) 1 (ubegrenset)
Du er kanskje også interessert i

BSC010NE2LSIATMA1

MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON

Infineon Technologies

kr 12,84000 Detaljer

BSC010NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

Infineon Technologies

kr 12,50000 Detaljer

182-009-113R531

CONN D-SUB PLUG 9POS R/A SLDR

NorComp Inc.

kr 16,03000 Detaljer

LTST-C190GKT

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Lite-On Inc.

kr 2,07000 Detaljer

BSC050N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON

Infineon Technologies

kr 6,64000 Detaljer

SE97BTP,547

IC TEMP SENSOR DIMM 8HWSON

NXP USA Inc.

kr 9,40000 Detaljer
Ytterligere resurser
Standardemballasje 1
Andre navn BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LSCT-ND