NOK | EUR | USD
Favoritt

BSC050N04LSGATMA1 N-kanal 40V 18A (Ta), 85A (Tc) 2,5W (Ta), 57W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-5
Pris og anskaffelse
60 730 På lager
Kan sendes umiddelbart
 

Antall
Alle prisene er i NOK.
Prisreduksjon Enhetspris Utvidet pris
1 7,67000 kr 7,67
10 6,65500 kr 66,55
25 6,34760 kr 158,69
100 4,60830 kr 460,83
500 3,85038 kr 1 925,19
1 000 3,27698 kr 3 276,98
2 500 2,91856 kr 7 296,40

Send en forespørsel om tilbud på mengder større enn de som vises.

Enhetspris
kr 7,67000

Eks. merverdiavgift (VAT)

kr 9,58750

Inkl. merverdiavgift (VAT)

Alternativ emballasje
  • Tape og spole (TR)  : BSC050N04LSGATMA1TR-ND
  • Minimumsantall: 5 000
  • Antall tilgjengelig: 55 000 - Umiddelbart
  • Enhetspris: kr 2,66441
  • Digi-Reel®  : BSC050N04LSGATMA1DKR-ND
  • Minimumsantall: 1
  • Antall tilgjengelig: 60 730 - Umiddelbart
  • Enhetspris: Digi-Reel (rull)®

BSC050N04LSGATMA1

Datablad
Digi-Keys delenummer BSC050N04LSGATMA1CT-ND
Kopi  
Produsent

Infineon Technologies

Kopi  
Produsentens delenummer BSC050N04LSGATMA1
Kopi  
Beskrivelse MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Kopi  
Produsentens standard leveringstid 18 uker
Detaljert beskrivelse

N-kanal 40V 18A (Ta), 85A (Tc) 2,5W (Ta), 57W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-5

Kopi  
Kundereferanse
Dokumenter og media
Datablad BSC050N04LS G
Andre relaterte dokumenter Part Number Guide
Utvalgt produkt Data Processing Systems
PCN-montering/opprinnelse Assembly Site Add 20/Jun/2016
PCN-emballasje Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCN-annet Multiple Changes 09/Jul/2014
HTML-dataark BSC050N04LS G
EDA-/CAD-modeller BSC050N04LSGATMA1 by SnapEDA
Simulasjonsmodeller OptiMOS™ Power MOSFET 40V N-Channel Spice Model
Produktegenskaper
Type Beskrivelse Velg alle
Kategorier
Produsent Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballasje Båndavsnitt (CT) 
Delestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Utløp (drain) til kildespenning (Vdss) 40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Ta), 85A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs 5mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 27µA
Portlading (Qg) (maks) ved Vgs 47nC @ 10V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3700pF @ 20V
FET-egenskap -
Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-5
Pakke/veske 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifiseringer
RoHS-status Samsvarer med ROHS3
Fuktigfølsomhetsnivå (MSL) 1 (ubegrenset)
Du er kanskje også interessert i

BSC0902NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

Infineon Technologies

kr 7,67000 Detaljer

BSC0904NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

Infineon Technologies

kr 5,95000 Detaljer
Ytterligere resurser
Standardemballasje 1
Andre navn BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND