FET-, MOSFET-matrise

Resultater : 5 752
Produsent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*448AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®RemseRørTape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (metalloksid)SiCFET (silisiumkarbid)Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N og 2 P-kanal2 N og 2 P-kanal (helbro)2 N og 2 P-kanal tilsvarende par2 N-kanal2 N-kanal (Cascoded)2 N-kanal (dobbel pulsbryter for nedtransformering)2 N-kanal (dobbel)2 N-kanal (dobbel) asymmetrisk2 N-kanal (dobbel) felles drenering2 N-kanal (dobbel) felles kilde2 N-kanal (dobbel) tilpasset par2 N-kanal (dobbel), P-kanal
FET-egenskap
-LogikknivåportLogikknivåport, 0,9V stasjonLogikknivåport, 1.2V stasjonLogikknivåport, 1.5V stasjonLogikknivåport, 1.8V stasjonLogikknivåport, 2.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4V stasjonLogikknivåport, 5V stasjonSilisiumkarbid (SiC)Utarmingsmodus
Drain til Source-spenning
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,46mOhm ved 160A, 12V0,762mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,580mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,710mOhm ved 160A, 12V0.8mOhm ved 1200A, 10V0,88mOhm ved 160A, 14V, 0,71mOhm ved 160A, 14V0,88mOhm ved 50A, 10V0.95mOhm ved 30A, 10V0.95mOhm ved 8A, 4.5V0,99mOhm ved 80A, 10V, 1,35mOhm ved 80A, 10V1,039mOhm ved 160A, 12V, 762µOhm ved 160A, 12V1.15mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
10mV ved 10µA10mV ved 1µA10mV ved 20µA20mV ved 10µA20mV ved 1µA20mV ved 20µA180mV ved 1µA200mV ved 2,8A, 200mV ved 1,9A220mV ved 1µA360mV ved 1µA380mV ved 1µA400mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0,4pC ved 4,5V, 7,3nC ved 4,5V0.45pC ved 4.5V50pC ved 4,5V0.16nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.26nC ved 2.5V0,28nC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V, 0,3nC ved 4,5V0,3nC ved 4,5V, 0,28nC ved 4,5V0.3nC ved 4.5V0.304nC ved 4.5V0.31nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.5pF ved 5V3pF ved 5V5pF ved 3V6pF ved 3V6.2pF ved 10V6.6pF ved 10V7pF ved 10V7pF ved 3V7.1pF ved 10V7.4pF ved 10V7.5pF ved 10V8.5pF ved 3V
Effekt - maks
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Kapsling
4-SMD, ingen ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN-eksponert plate4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørens enhetsforpakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-brikkers LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
5 752Resultater
Viser
av 5 752
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
Teknologi
Konfigurasjon
FET-egenskap
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekt - maks
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Kapsling
Leverandørens enhetsforpakning
345 066
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37776
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
300mA
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6nC ved 4.5V
40pF ved 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
117 088
På lager
1 : kr 2,21000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,59280
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
230mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2V ved 250µA
-
50pF ved 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70 669
På lager
1 : kr 2,31000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,59170
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
800mA (Ta)
235mOhm ved 800mA, 4,5V, 390mOhm ved 800mA, 4,5V
1V ved 1mA
1nC ved 10V
55pF ved 10V, 100pF ved 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 078
På lager
1 : kr 2,31000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,58268
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
320mA
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8nC ved 4.5V
50pF ved 10V
420mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q100
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190 573
På lager
1 : kr 2,42000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,63074
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
250mA (Ta)
2.2Ohm ved 100mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
12pF ved 10V
300mW
150°C
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37 345
På lager
1 : kr 2,42000
Båndavsnitt (CT)
5 000 : kr 0,59212
Tape og spole (TR)
1 : kr 2,84000
Båndavsnitt (CT)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
600mA
620mOhm ved 600mA, 4.5V
950mV ved 250µA
0.7nC ved 4.5V
21.3pF ved 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-XFDFN-eksponert plate
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4 761
På lager
1 : kr 2,52000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,67967
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
300mA
3Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.6nC ved 10V
20pF ved 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140 641
På lager
1 : kr 2,63000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,66415
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
30V
100mA
4Ohm ved 10mA, 4V
1.5V ved 100µA
-
8.5pF ved 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318 472
På lager
1 : kr 2,73000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,71817
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
320mA
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8nC ved 4.5V
50pF ved 10V
420mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48 979
På lager
1 602 000
Fabrikk
1 : kr 2,84000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,74935
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
1,07A, 845mA
450mOhm ved 600mA, 4.5V
1V ved 250µA
0.74nC ved 4.5V
60.67pF ved 10V
330mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743 474
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,65394
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.2V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
25pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335 882
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,83230
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164 295
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,73455
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
100 345
På lager
3 012 000
Fabrikk
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,81596
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport, 4.5V stasjon
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm ved 3.1A, 10V
2.3V ved 250µA
13nC ved 10V
400pF ved 15V
840mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6 247
På lager
2 514 000
Fabrikk
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,82600
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm ved 3.4A, 10V
1.5V ved 250µA
12.3nC ved 10V
422pF ved 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130 063
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,90276
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
880mA
400mOhm ved 880mA, 2.5V
750mV ved 1.6µA
0.26nC ved 2.5V
78pF ved 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,91319
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
860mA
350mOhm ved 200mA, 4.5V
1.5V ved 250µA
0.72nC ved 4.5V
34pF ved 20V
410mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Nexperia USA Inc.
35 718
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,88531
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
340mA
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6nC ved 4.5V
50pF ved 10V
350mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455 532
På lager
1 : kr 3,47000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,91208
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
20V
540mA
550mOhm ved 540mA, 4.5V
1V ved 250µA
2.5nC ved 4.5V
150pF ved 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94 203
På lager
1 : kr 3,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,95326
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
115mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2V ved 250µA
-
50pF ved 25V
200mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28 803
På lager
1 : kr 3,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,95099
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
630mA
375mOhm ved 630mA, 4.5V
1.5V ved 250µA
3nC ved 4.5V
46pF ved 20V
270mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
12 395
På lager
1 : kr 3,47000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,90106
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm ved 500mA, 4,5V, 300mOhm ved 400mA, 4,5V
1V ved 1mA
2nC ved 4,5V, 1,76nC ved 4,5V
90pF ved 10V, 110pF ved 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
37 586
På lager
1 : kr 3,57000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,96303
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
30V
400mA, 200mA
700mOhm ved 200MA, 10V
1.8V ved 100µA
-
20pF ved 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35 474
På lager
1 : kr 3,57000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,97556
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
950mA
350mOhm ved 950mA, 4.5V
1.2V ved 1.6µA
0.32nC ved 4.5V
63pF ved 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76 474
På lager
1 : kr 3,68000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,97482
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
800mA
380mOhm ved 500mA, 4.5V
950mV ved 250µA
0.68nC ved 4.5V
83pF ved 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
Viser
av 5 752

FET-, MOSFET-matrise

Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.