Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 41 179
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*18N20AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q100, NexFET™
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Produktstatus
AktivForeløpigIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
FET-type
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,29mOhm ved 50A, 10V0,3mOhm ved 200A, 10V0,35mOhm ved 50A, 10V0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,44mOhm ved 88A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0.45mOhm ved 50A, 10V0.45mOhm ved 60A, 4.5V0,47mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA (min)450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)570mV ved 1mA (typ)600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)600mV ved 1mA (typ)600mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StandardStrømavsøkingTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Effekttap (maks)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Kapsling
2-DFN eksponert plate3-DFN eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3Variant3-SMD, flat ledning3-SMD, flate ledninger
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
41 179Resultater
Viser
av 41 179
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
545 752
På lager
2 382 000
Fabrikk
1 : kr 1,84000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,32526
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V310mA (Ta)5V, 10V3Ohm ved 115mA, 10V2V ved 250µA0.87 nC @ 10 V±20V22 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
48 272
På lager
590 000
Fabrikk
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,33193
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2.8Ohm ved 250mA, 10V1.5V ved 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
24 138
På lager
1 : kr 1,84000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,33379
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
363 572
På lager
130 000
Fabrikk
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,33749
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 419 331
På lager
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,34120
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
684 867
På lager
1 : kr 2,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,35752
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V190mA (Ta)5V, 10V4.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 390 025
På lager
1 : kr 2,16000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,36594
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm ved 50mA, 5V2.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
17 211
På lager
1 : kr 2,16000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37408
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
37 058
På lager
1 : kr 2,27000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,39388
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V310mA (Ta)4,5V, 10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827 870
På lager
1 : kr 2,48000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,41224
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
188 117
På lager
1 : kr 3,35000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,42687
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1.1Ohm ved 150mA, 4.5V1V ved 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)OverflatemonteringCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
107 246
På lager
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,43150
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2.5Ohm ved 240mA, 10V2.6V ved 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
530 967
På lager
279 000
Fabrikk
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,43150
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2.8Ohm ved 250mA, 10V1.5V ved 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
181 608
På lager
570 000
Fabrikk
1 : kr 3,35000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,43763
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)50 V310mA (Ta)10V3.5Ohm ved 220mA, 10V1.5V ved 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
412 122
På lager
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44356
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm ved 100mA, 5V2V ved 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
984 981
På lager
1 : kr 2,70000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45320
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TA)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 325 389
På lager
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,46163
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 040 208
På lager
1 : kr 2,92000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,48913
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.1V ved 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
522 153
På lager
1 : kr 1,62000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,49745
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V200mA (Ta)4,5V, 10V3.9Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.35 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-320mW (Ta)150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
876 485
På lager
1 : kr 3,02000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,51322
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V300mA (Tc)10V5Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 198 755
På lager
1 : kr 3,02000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,51347
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C – 150°C (TA)OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
10 492
På lager
1 : kr 4,21000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,54889
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)20 V4,2A (Ta)1,8V, 4,5V52mOhm ved 4.2A, 4.5V900mV ved 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
1 018 379
På lager
150 000
Fabrikk
1 : kr 3,24000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,54724
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)50 V200mA (Ta)10V3.5Ohm ved 220mA, 10V1.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
DMN52D0LT-13
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
103 930
På lager
1 998 000
Fabrikk
1 : kr 3,35000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,55685
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)20 V460mA (Ta)1,8V, 4,5V700mOhm ved 350mA, 4.5V1V ved 250µA0.622 nC @ 4.5 V±6V59.76 pF @ 16 V-270mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-523SOT-523
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
188 546
På lager
9 810 000
Fabrikk
1 : kr 3,78000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,56547
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V400mA (Ta)1,8V, 5V2Ohm ved 50mA, 5V1V ved 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-440mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
Viser
av 41 179

Enkle FET-er, MOSFET-er

Diskrete felteffekttransisorer (FET-er) blir mye brukt i kraftkonvertering, motorstyring, halvleder (solid-state)-belysning og andre bruksområder der det er fordelaktig med deres karakteristiske evne til å bli slått på og av ved høye frekvenser, mens de fører store mengder strøm. De brukes nesten universelt for konstruksjoner som krever spenningsområder på noen hundre volt eller mindre, over disse spenningene blir enhetstyper som IGBT-er mer konkurransedyktige.