Transistorer - FET, MOSFET - enkle

Resultater : 41 106
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBartels Mikrotechnik GmbHCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale Semiconductor
Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7
Emballasje
-BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Produktstatus
AktivForeløpigIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
FET-type
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0.45mOhm ved 50A, 10V0.45mOhm ved 60A, 4.5V0,47mOhm ved 20A, 10V0.48mOhm ved 50A, 10V0,52mOhm ved 20A, 10V0,52mOhm ved 30A, 10V0,53mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA (min)450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)600mV ved 250µA (min)650mV ved 250µA700mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V3.65 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StandardStrømavsøkingSuperforbindelseTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Effekttap (maks)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Kapsling
2-PowerTSFN3-DFN eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flat ledning3-SMD, flate ledninger3-SMD, ikke standard3-SMD, ingen ledning
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
41 106Resultater
Viser
1 - 25
av 41 106
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
RGTHTSXXDGCXX
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
0
På lager
1 : kr 134,31000
Rør
Rør
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)1200 V26A (Tc)18V81mOhm ved 12A, 18V4,8V@ 6,45mA64 nC @ 18 V+21V, -4V1498 pF @ 800 V-115W175°C (TJ)Gjennomgående hullTO-247NTO-247-3
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
300 884
På lager
1 : kr 13,25000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 5,63532
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7A (Ta)5V65mOhm ved 1A, 5V2.5V ved 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
71 468
På lager
1 : kr 11,47000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 4,87379
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4A (Ta)5V30mOhm ved 1.5A, 5V2.5V ved 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
282 879
På lager
1 : kr 11,47000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 5,63532
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3.3Ohm ved 50mA, 5V2.5V ved 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
374 428
På lager
1 : kr 13,25000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 5,63532
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7A (Ta)5V550mOhm ved 100mA, 5V2.5V ved 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
64 427
På lager
1 : kr 16,32000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 7,56585
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2A (Ta)5V13.5mOhm ved 11A, 5V2.5V ved 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
50 479
På lager
1 : kr 22,15000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 10,23615
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6A (Ta)5V30mOhm ved 6A, 5V2.5V ved 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (5 loddestenger)Pressform
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
27 669
På lager
1 : kr 22,15000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 10,23615
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4A (Ta)5V160mOhm ved 500mA, 5V2.5V ved 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
13 308
På lager
1 : kr 18,30000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 9,68235
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3A (Ta)5V43mOhm ved 1A, 5V2.5V ved 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
40 825
På lager
1 : kr 26,01000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 12,01635
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16A (Ta)5V7mOhm ved 16A, 5V2.5V ved 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
28 607
På lager
1 : kr 26,01000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 12,01635
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29A (Ta)5V6mOhm ved 16A, 5V2.5V ved 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
16 190
På lager
1 : kr 26,31000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 12,16470
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29A (Ta)5V3,6mOhm ved 15A, 5V2.5V ved 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
191 328
På lager
1 : kr 30,86000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 14,24160
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18A (Ta)5V13.5mOhm ved 11A, 5V2.5V ved 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
12 438
På lager
1 : kr 32,24000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 16,61520
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)65 V2A (Ta)5V530mOhm ved 500mA, 5V2.5V ved 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
12 104
På lager
1 : kr 33,43000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 17,20860
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14A (Ta)5V22mOhm ved 14A, 5V2.5V ved 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
30 605
På lager
1 : kr 46,98000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 24,18105
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48A (Ta)5V3.8mOhm ved 25A, 5V2.5V ved 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
21 936
På lager
1 : kr 47,87000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 24,62610
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53A (Ta)5V4mOhm ved 33A, 5V2.5V ved 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
39 738
På lager
1 : kr 46,98000
Båndavsnitt (CT)
1 000 : kr 24,82588
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V60A (Ta)5V3.2mOhm ved 25A, 5V2.5V ved 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
130 242
På lager
1 : kr 48,76000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 25,07115
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36A (Ta)5V7mOhm ved 25A, 5V2.5V ved 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (11 loddestenger)Pressform
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
8 222
På lager
1 : kr 63,69000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 32,78535
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32A (Ta)5V8mOhm ved 20A, 5V2.5V ved 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
9 998
På lager
1 : kr 68,04000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 35,01060
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22A (Ta)5V25mOhm ved 12A, 5V2.5V ved 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (7 loddestenger)Pressform
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
108 303
På lager
1 : kr 63,39000
Båndavsnitt (CT)
500 : kr 39,73010
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90A (Ta)5V2.2mOhm ved 29A, 5V2.5V ved 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Rohm Semiconductor
800
På lager
1 : kr 57,36000
Båndavsnitt (CT)
400 : kr 40,05105
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalSiCFET (silisiumkarbid)1700 V4A (Tc)18V1.5Ohm ved 1.1A, 18V4V ved 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)OverflatemonteringTO-268TO-268-3, D³Pak (2 ledninger + flik) TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
EPC
18 813
På lager
1 : kr 65,27000
Båndavsnitt (CT)
500 : kr 42,49338
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V31A (Ta)-2.6mOhm ved 30A, 5V2.5V ved 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2021
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
12 185
På lager
1 : kr 78,23000
Båndavsnitt (CT)
1 000 : kr 44,80170
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90A (Ta)5V2.5mOhm ved 29A, 5V2.5V ved 14mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1650 pF @ 40 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
Viser
1 - 25
av 41 106

Transistorer - FET, MOSFET - enkle

Discrete Field Effect Transistors (FETs) are widely used in power conversion, motor control, solid-state lighting, and other applications where their characteristic ability to be switched on & off at high frequencies while carrying substantial amounts of current is advantageous. They are used almost universally for applications requiring voltage ratings of a few hundred volts or less, above which other device types such as IGBTs become more competitive.