Transistorer - FET, MOSFET - enkle

Resultater : 39 365
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Slett
Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Slett
Emballasje
-BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Slett
Delestatus
AktivForeløpigIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Slett
FET-type
-N-kanalP-kanal
Slett
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Slett
Drain til Source-spenning
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Slett
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Slett
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
-0,35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
Slett
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0.45mOhm ved 50A, 10V0.45mOhm ved 60A, 4.5V0,47mOhm ved 20A, 10V0.48mOhm ved 50A, 10V0,52mOhm ved 30A, 10V0,53mOhm ved 20A, 10V0,55mOhm ved 25A, 10V0,55mOhm ved 50A, 10V
Slett
Vgs(th) (maks) ved Id
400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA (min)400mV ved 250µA450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 250µA450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)500mV ved 250µA570mV ved 1mA600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)
Slett
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Slett
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Slett
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
Slett
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StandardStrømavsøkingSuperforbindelseTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Slett
Effekttap (maks)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Slett
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)
Slett
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Slett
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
Slett
Kapsling
3-DFN eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flat ledning3-SMD, flate ledninger3-SMD, ikke standard3-SMD, ingen ledning3-UDFN3-UFDFN
Slett
Lageralternativer
Media
Miljømessige alternativer
Markedsplass-produkt
Resultater per side
25
Page 1/1575
Sammenligne
Produsentens delenummer
Pris
Lagerbeholdning
Leverandør
Produsent
Min. antall
DK-delenummer
Serie
Pakking
Delestatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
kr 7,43000
351 704 - Omgående
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7A (Ta)5V65mOhm ved 1A, 5V2.5V ved 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
kr 10,25000
86 656 - Omgående
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4A (Ta)5V30mOhm ved 1.5A, 5V2.5V ved 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
kr 10,25000
173 004 - Omgående
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3.3Ohm ved 50mA, 5V2.5V ved 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
kr 11,85000
596 743 - Omgående
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7A (Ta)5V550mOhm ved 100mA, 5V2.5V ved 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
kr 14,41000
48 307 - Omgående
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8A (Ta)5V25mOhm ved 6A, 5V2.5V ved 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
kr 18,92000
35 048 - Omgående
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6A (Ta)5V30mOhm ved 6A, 5V2.5V ved 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (5 loddestenger)Pressform
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
kr 18,39000
50 090 - Omgående
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16A (Ta)5V7mOhm ved 16A, 5V2.5V ved 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
kr 18,03000
13 769 - Omgående
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4A (Ta)5V160mOhm ved 500mA, 5V2.5V ved 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
kr 22,10000
55 196 - Omgående
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29A (Ta)5V-2.5V ved 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
kr 23,51000
20 116 - Omgående
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29A (Ta)5V3,6mOhm ved 15A, 5V2.5V ved 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
kr 24,40000
10 613 - Omgående
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5A (Ta)5V100mOhm ved 3A, 5V2.5V ved 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (4 loddestenger)Pressform
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
kr 26,43000
205 417 - Omgående
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18A (Ta)5V13.5mOhm ved 11A, 5V2.5V ved 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
kr 26,25000
33 381 - Omgående
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)65 V2A (Ta)5V530mOhm ved 500mA, 5V2.5V ved 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
kr 28,38000
17 248 - Omgående
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14A (Ta)5V22mOhm ved 14A, 5V2.5V ved 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
kr 29,35000
19 395 - Omgående
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48A (Ta)5V3.8mOhm ved 25A, 5V2.5V ved 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
kr 30,41000
27 444 - Omgående
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
kr 32,44000
30 716 - Omgående
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5A (Ta)5V50mOhm ved 7A, 5V2.5V ved 1.5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
kr 39,96000
50 037 - Omgående
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V----------OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
kr 41,46000
107 053 - Omgående
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36A (Ta)5V7mOhm ved 25A, 5V2.5V ved 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (11 loddestenger)Pressform
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
kr 42,79000
17 003 - Omgående
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53A (Ta)5V4mOhm ved 33A, 5V2.5V ved 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
kr 54,10000
382 - Omgående
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32A (Ta)5V8mOhm ved 20A, 5V2.5V ved 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
kr 57,99000
18 103 - Omgående
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22A (Ta)5V25mOhm ved 12A, 5V2.5V ved 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringFormomriss (7 loddestenger)Pressform
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
kr 56,66000
104 350 - Omgående
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90A (Ta)5V2.2mOhm ved 29A, 5V2.5V ved 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
kr 51,27000
0 - Omgående
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalSiCFET (silisiumkarbid)1700 V4A (Tc)18V1.5Ohm ved 1.1A, 18V4V ved 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)OverflatemonteringTO-268TO-268-3, D³Pak (2 ledninger + flik) TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
kr 58,34000
22 227 - Omgående
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V31A (Ta)-2.6mOhm ved 30A, 5V2.5V ved 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringPressformPressform
Resultater per side
25
Page 1/1575