FET-, MOSFET-matrise

Resultater : 5 600
Produsent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-T2
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®RemseRørTape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (metalloksid)Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N og 2 P-kanal (halvbro)2 N og 2 P-kanal tilsvarende par2 N og 2 P-kanal2 N-kanal (Cascoded)2 N-kanal (dobbel pulsbryter for nedtransformering)2 N-kanal (dobbel) asymmetrisk2 N-kanal (dobbel) felles drenering2 N-kanal (dobbel) felles kilde2 N-kanal (dobbel) tilpasset par2 N-kanal (dobbel)2 N-kanal (dobbel), P-kanal2 N-kanal (dobbel), Schottky
FET-egenskap
-GaNFET (Galliumnitrid)LogikknivåportLogikknivåport, 0,9V stasjonLogikknivåport, 1.2V stasjonLogikknivåport, 1.5V stasjonLogikknivåport, 1.8V stasjonLogikknivåport, 2.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4V stasjonLogikknivåport, 5V stasjonSilisiumkarbid (SiC)Standard
Drain til Source-spenning
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,46mOhm ved 160A, 12V0,762mOhm ved 160A, 12V0.8mOhm ved 1200A, 10V0.95mOhm ved 30A, 10V0.95mOhm ved 8A, 4.5V1mOhm ved 38A, 10V1,2mOhm ved 10A, 10V1,2mOhm ved 800A, 10V1.25mOhm ved 35A, 10V1.3mOhm ved 100A, 10V1,35mOhm ved 10A, 4,5V1,37mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
10mV ved 10µA10mV ved 1µA10mV ved 20µA20mV ved 10µA20mV ved 1µA20mV ved 20µA180mV ved 1µA200mV ved 2,8A, 200mV ved 1,9A220mV ved 1µA360mV ved 1µA380mV ved 1µA400mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0,4pC ved 4,5V, 7,3nC ved 4,5V0.45pC ved 4.5V0.16nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.26nC ved 2.5V280pC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V, 0,3nC ved 4,5V0,3nC ved 4,5V, 0,28nC ved 4,5V0.3nC ved 4.5V0.304nC ved 4.5V0.31nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.5pF ved 5V3pF ved 5V5pF ved 3V6pF ved 3V6.2pF ved 10V6.6pF ved 10V7pF ved 10V7pF ved 3V7.1pF ved 10V7.4pF ved 10V7.5pF ved 10V8.5pF ved 3V
Effekt - maks
120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)200mW220mW220mW, 280mW223mW (Ta)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-55°C – 175°C-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C (TA)
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Kapsling
4-SMD, ingen ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN eksponert plate4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørens enhetsforpakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP (1,62x1,62)
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
5 600Resultater
Viser
av 5 600
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
Teknologi
Konfigurasjon
FET-egenskap
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekt - maks
Driftstemperatur
Monteringstype
Kapsling
Leverandørens enhetsforpakning
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
61 203
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,64847
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V295mA1.6Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.9nC ved 4.5V26pF ved 20V250mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
105 108
På lager
1 : kr 3,67000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,66488
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-60V230mA7.5Ohm ved 50mA, 5V2V ved 250µA-50pF ved 25V310mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
US6
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
622 946
På lager
1 : kr 2,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,75146
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-60V300mA1.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.6nC ved 4.5V40pF ved 10V285mW150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 232 443
På lager
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,76356
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-60V115mA7.5Ohm ved 50mA, 5V2V ved 250µA-50pF ved 25V200mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
211 750
På lager
1 173 000
Fabrikk
1 : kr 4,32000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,77674
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V1,03A, 700mA480mOhm ved 200mA, 5V900mV ved 250µA0.5nC ved 4.5V37.1pF ved 10V450mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
392 099
På lager
1 : kr 4,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,81072
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V320mA1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8nC ved 4.5V50pF ved 10V420mW150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
408 564
På lager
1 : kr 4,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,82422
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V300mA (Ta)1.6Ohm ved 500mA, 10V2.1V ved 250µA0.6nC ved 4.5V50pF ved 10V295mW150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
170 212
På lager
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,85301
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport, 0,9V stasjon50V200mA2.2Ohm ved 200mA, 4.5V800mV ved 1mA-26pF ved 10V120mW150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
41 941
På lager
1 : kr 4,64000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,86393
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V320mA1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8nC ved 4.5V50pF ved 10V420mW150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
19 599
På lager
1 : kr 4,64000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,86393
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport50V160mA7.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.35nC ved 5V36pF ved 25V445mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
137 841
På lager
1 : kr 4,97000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,88650
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V1,07A, 845mA450mOhm ved 600mA, 4.5V1V ved 250µA0.74nC ved 4.5V60.67pF ved 10V330mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
464 120
På lager
1 : kr 4,97000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,89683
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V320mA1.6Ohm ved 320mA, 10V1.6V ved 250µA0.7nC ved 4.5V56pF ved 10V445mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
188 701
På lager
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,90986
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport, 4.5V stasjon30V3,4A, 2,8A60mOhm ved 3.1A, 10V2.3V ved 250µA13nC ved 10V400pF ved 15V840mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-6 tynn, TSOT-23-6TSOT-26
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
47 759
På lager
1 : kr 4,97000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,91627
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V300mA3Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.6nC ved 10V20pF ved 25V500mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
55 410
På lager
1 : kr 4,21000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,92354
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport30V3,8A, 2,5A55mOhm ved 3.4A, 10V1.5V ved 250µA12.3nC ved 10V422pF ved 15V850mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-6 tynn, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
926 847
På lager
1 : kr 5,18000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,95990
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport30V350mA1.4Ohm ved 350mA, 4.5V1.1V ved 250µA0.68nC ved 4.5V50pF ved 15V445mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
31 941
På lager
1 : kr 5,18000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,95990
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport30V350mA, 200mA1.4Ohm ved 350mA, 4.5V1.1V ved 250µA0.68nC ved 4.5V50pF ved 15V445mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
83 986
På lager
1 : kr 4,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,00555
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V3,7A, 2,6A35mOhm ved 4A, 4.5V1V ved 250µA17nC ved 10V530pF ved 10V800mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-23-6 tynn, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
116 632
På lager
1 : kr 4,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,01117
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport20V860mA350mOhm ved 200mA, 4.5V1.5V ved 250µA0.72nC ved 4.5V34pF ved 20V410mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
290 771
På lager
1 : kr 4,75000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 1,05632
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-20V540mA550mOhm ved 540mA, 4.5V1V ved 250µA2.5nC ved 4.5V150pF ved 16V250mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
54 776
På lager
1 : kr 4,75000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,05631
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport20V630mA375mOhm ved 630mA, 4.5V1.5V ved 250µA3nC ved 4.5V46pF ved 20V270mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
94 526
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,06182
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport50V130mA10Ohm ved 100mA, 5V2V ved 1mA-45pF ved 25V300mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
AS2376QS-13
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
278 270
På lager
1 : kr 4,00000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 1,07546
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport30V3,9A70mOhm ved 5.3A, 10V3V ved 250µA11nC ved 10V563pF ved 25V1,1W-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)8-SO
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
161 780
På lager
1 : kr 3,78000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,07989
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport20V610mA (Ta)396mOhm ved 500mA, 4.5V1V ved 250µA2nC ved 8V43pF ved 10V220mW-55°C – 150°C (TJ)OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
19 434
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,09789
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-30V250mA1.5Ohm ved 10mA, 4V1.5V ved 100µA1.3nC ved 5V33pF ved 5V272mW-55°C – 150°C (TJ)Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Viser
av 5 600

FET-, MOSFET-matrise

Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.