FET-, MOSFET-matrise

Resultater : 5 599
Produsent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®RemseRørTape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (metalloksid)SiCFET (silisiumkarbid)Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N og 2 P-kanal (helbro)2 N og 2 P-kanal tilsvarende par2 N og 2 P-kanal2 N-kanal (Cascoded)2 N-kanal (dobbel pulsbryter for nedtransformering)2 N-kanal (dobbel) asymmetrisk2 N-kanal (dobbel) felles drenering2 N-kanal (dobbel) felles kilde2 N-kanal (dobbel) tilpasset par2 N-kanal (dobbel)2 N-kanal (dobbel), P-kanal2 N-kanal (dobbel), Schottky
FET-egenskap
-LogikknivåportLogikknivåport, 0,9V stasjonLogikknivåport, 1.2V stasjonLogikknivåport, 1.5V stasjonLogikknivåport, 1.8V stasjonLogikknivåport, 2.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4V stasjonLogikknivåport, 5V stasjonSilisiumkarbid (SiC)Utarmingsmodus
Drain til Source-spenning
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,46mOhm ved 160A, 12V0,762mOhm ved 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0.8mOhm ved 1200A, 10V0.88mOhm @ 160A, 14V, 0.71mOhm @ 160A, 14V0.88mOhm @ 50A, 10V0.95mOhm ved 30A, 10V0.95mOhm ved 8A, 4.5V0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,2mOhm ved 800A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
10mV ved 10µA10mV ved 1µA10mV ved 20µA20mV ved 10µA20mV ved 1µA20mV ved 20µA180mV ved 1µA200mV ved 2,8A, 200mV ved 1,9A220mV ved 1µA360mV ved 1µA380mV ved 1µA400mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0,4pC ved 4,5V, 7,3nC ved 4,5V0.45pC ved 4.5V0.16nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.26nC ved 2.5V0,28nC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V, 0,3nC ved 4,5V0,3nC ved 4,5V, 0,28nC ved 4,5V0.3nC ved 4.5V0.304nC ved 4.5V0.31nC ved 4.5V0.32nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.5pF ved 5V3pF ved 5V5pF ved 3V6pF ved 3V6.2pF ved 10V6.6pF ved 10V7pF ved 10V7pF ved 3V7.1pF ved 10V7.4pF ved 10V7.5pF ved 10V8.5pF ved 3V
Effekt - maks
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-55°C – 175°C-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C (TA)
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Kapsling
4-SMD, ingen ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN eksponert plate4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørens enhetsforpakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
5 599Resultater

Viser
av 5 599
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
Teknologi
Konfigurasjon
FET-egenskap
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekt - maks
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Kapsling
Leverandørens enhetsforpakning
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
179 499
På lager
1 : kr 3,65000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,66057
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-60V230mA7.5Ohm ved 50mA, 5V2V ved 250µA-50pF ved 25V310mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259 487
På lager
135 000
Fabrikk
1 : kr 3,76000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,12665
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V540mA, 430mA550mOhm ved 540mA, 4.5V1V ved 250µA-150pF ved 16V250mW-65°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 826
På lager
1 : kr 3,76000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,01763
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport20V610mA (Ta)396mOhm ved 500mA, 4.5V1V ved 250µA2nC ved 8V43pF ved 10V220mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
89 895
På lager
1 : kr 3,86000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,05494
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport50V130mA10Ohm ved 100mA, 5V2V ved 1mA-45pF ved 25V300mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
60 474
På lager
1 : kr 3,86000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,03459
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-30V250mA1.5Ohm ved 10mA, 4V1.5V ved 100µA1.3nC ved 5V33pF ved 5V272mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28 579
På lager
1 : kr 3,86000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,69244
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V320mA1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8nC ved 4.5V50pF ved 10V420mW150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q100Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360 100
På lager
1 : kr 3,97000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,71297
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport, 1.5V stasjon20V250mA (Ta)2.2Ohm ved 100mA, 4.5V1V ved 1mA-12pF ved 10V300mW150°C--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 547
På lager
12 500
Fabrikk
1 : kr 3,97000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 1,06849
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport30V3,9A70mOhm ved 5.3A, 10V3V ved 250µA11nC ved 10V563pF ved 25V1,1W-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100 212
På lager
1 : kr 4,08000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,87240
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport, 0,9V stasjon50V200mA2.2Ohm ved 200mA, 4.5V800mV ved 1mA-26pF ved 10V120mW150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 537
På lager
1 : kr 4,18000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,91756
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport30V3,8A, 2,5A55mOhm ved 3.4A, 10V1.5V ved 250µA12.3nC ved 10V422pF ved 15V850mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-6 tynn, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30 209
På lager
1 : kr 4,18000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 1,13296
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V540mA, 430mA550mOhm ved 540mA, 4.5V1V ved 250µA2.5nC ved 4.5V150pF ved 16V250mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
173 739
På lager
2 766 000
Fabrikk
1 : kr 4,29000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,77170
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport20V1,03A, 700mA480mOhm ved 200mA, 5V900mV ved 250µA0.5nC ved 4.5V37.1pF ved 10V450mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65 977
På lager
372 000
Fabrikk
1 : kr 4,29000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,15841
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-60V280mA7.5Ohm ved 50mA, 5V2.5V ved 250µA-50pF ved 25V150mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51 992
På lager
1 : kr 4,29000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,15669
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal-30V5A32mOhm ved 5.8A, 10V1.5V ved 250µA-1155pF ved 15V1,4W-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-VDFN eksponert plateDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29 681
På lager
1 : kr 4,29000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,43864
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V370mA1.4Ohm ved 340mA, 10V2.5V ved 250µA1.4nC ved 10V18.5pF ved 30V510mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25 941
På lager
1 : kr 4,29000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,46103
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)-30V6,2A30mOhm ved 5.8A, 10V2V ved 250µA10.6nC ved 10V500pF ved 15V1W-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-UDFN eksponert plateU-DFN2020-6 (type B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104 879
På lager
1 : kr 4,40000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,79266
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V300mA3Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.6nC ved 10V20pF ved 25V500mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68 917
På lager
1 : kr 4,40000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,79686
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport30V100mA4Ohm ved 10mA, 4V1.5V ved 100µA-8.5pF ved 3V150mW150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66 292
På lager
1 : kr 4,40000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,78533
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 P-kanal (dobbel)Logikknivåport50V160mA7.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.35nC ved 5V36pF ved 25V445mW-55°C – 150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 894
På lager
1 : kr 4,40000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,18724
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanalLogikknivåport30V700mA, 500mA388mOhm ved 600mA, 10V2.5V ved 250µA1.5nC ved 10V28pF ved 15V340mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
350 088
På lager
1 : kr 4,51000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,80547
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V320mA1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8nC ved 4.5V50pF ved 10V420mW150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 413
På lager
1 : kr 4,51000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,81888
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport60V300mA (Ta)1.6Ohm ved 500mA, 10V2.1V ved 250µA0.6nC ved 4.5V50pF ved 10V295mW150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173 220
På lager
1 : kr 4,51000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,53457
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)N- og P-kanal, Felles dreneringLogikknivåport30V6A, 5,5A30mOhm ved 6A, 10V2.4V ved 250µA6.3nC ved 10V310pF ved 15V2W-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
121 430
På lager
1 : kr 4,51000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,50900
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport50V510mA2Ohm ved 510mA, 10V2.5V ved 250µA1nC ved 10V20pF ved 25V700mW-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-6 tynn, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71 478
På lager
1 : kr 4,51000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,99903
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserMOSFET (metalloksid)2 N-kanal (dobbel)Logikknivåport20V860mA350mOhm ved 200mA, 4.5V1.5V ved 250µA0.72nC ved 4.5V34pF ved 20V410mW-55°C – 150°C (TJ)--Overflatemontering6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
Viser
av 5 599

FET-, MOSFET-matrise


Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.