FET-, MOSFET-matrise

Viser

av 5 822

Produsentens delenummer	Antall tilgjengelig	Pris	Serie	Pakking	Produktstatus	Teknologi	Konfigurasjon	FET-egenskap	Drain til Source-spenning	Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	Rds på (maks) ved Id, Vgs	Vgs(th) (maks) ved Id	Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	Effekt - maks	Driftstemperatur	Grad	Godkjenning	Monteringstype	Kapsling	Leverandørens enhetsforpakning
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	237 262 På lager	1 : kr 2,27000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,46498 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	-	60V	300mA	1.5Ohm ved 100mA, 10V	2.1V ved 250µA	0.6nC ved 4.5V	40pF ved 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	163 672 På lager	1 : kr 3,40000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,72051 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	-	60V	230mA	7.5Ohm ved 50mA, 5V	2V ved 250µA	-	50pF ved 25V	310mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58 542 På lager	1 : kr 3,52000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 0,71522 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport, 1.5V stasjon	20V	800mA (Ta)	235mOhm ved 800mA, 4,5V, 390mOhm ved 800mA, 4,5V	1V ved 1mA	1nC ved 10V	55pF ved 10V, 100pF ved 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	48 619 På lager	1 : kr 3,52000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,72224 Tape og spole (TR)	OptiMOS™	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	60V	300mA	3Ohm ved 500mA, 10V	2.5V ved 250µA	0.6nC ved 10V	20pF ved 25V	500mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	147 393 På lager	1 : kr 3,63000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,76534 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport, 1.5V stasjon	20V	250mA (Ta)	2.2Ohm ved 100mA, 4.5V	1V ved 1mA	-	12pF ved 10V	300mW	150°C	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210 623 På lager	1 : kr 4,08000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,88063 Tape og spole (TR)	TrenchMOS™	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	60V	300mA (Ta)	1.6Ohm ved 500mA, 10V	2.1V ved 250µA	0.6nC ved 4.5V	50pF ved 10V	295mW	150°C (TJ)	Bilteknikk	AEC-Q101	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25 966 På lager	1 : kr 4,20000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,90523 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport	20V	1,07A, 845mA	450mOhm ved 600mA, 4.5V	1V ved 250µA	0.74nC ved 4.5V	60.67pF ved 10V	330mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	28 576 På lager	1 : kr 4,31000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,91552 Tape og spole (TR)	OptiMOS™	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	20V	880mA	400mOhm ved 880mA, 2.5V	750mV ved 1.6µA	0.26nC ved 2.5V	78pF ved 10V	500mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732 068 På lager	1 : kr 4,54000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,78885 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport, 1.2V stasjon	50V	200mA	2.2Ohm ved 200mA, 4.5V	1V ved 1mA	-	25pF ved 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95 552 På lager 1 557 000 Fabrikk	1 : kr 4,54000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,98356 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Ikke for nye utførelser	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport, 4.5V stasjon	30V	3,4A, 2,8A	60mOhm ved 3.1A, 10V	2.3V ved 250µA	13nC ved 10V	400pF ved 15V	840mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64 265 På lager	1 : kr 4,65000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,00351 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport, 0,9V stasjon	50V	200mA	2.2Ohm ved 200mA, 4.5V	800mV ved 1mA	-	26pF ved 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63 248 På lager 876 000 Fabrikk	1 : kr 4,65000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 0,99535 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport	30V	3,8A, 2,5A	55mOhm ved 3.4A, 10V	1.5V ved 250µA	12.3nC ved 10V	422pF ved 15V	850mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3 601 På lager	1 : kr 4,65000 Båndavsnitt (CT) 8 000 : kr 0,87341 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport, 0,9V stasjon	50V	200mA	2.2Ohm ved 200mA, 4.5V	800mV ved 1mA	-	26pF ved 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	EMT6
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 804 På lager	1 : kr 5,10000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 1,07807 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport, 1.5V stasjon	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm ved 500mA, 4,5V, 300mOhm ved 400mA, 4,5V	1V ved 1mA	2nC ved 4,5V, 1,76nC ved 4,5V	90pF ved 10V, 110pF ved 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	ES6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	403 910 På lager	1 : kr 5,22000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 1,09173 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	-	20V	540mA	550mOhm ved 540mA, 4.5V	1V ved 250µA	2.5nC ved 4.5V	150pF ved 16V	250mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	80 073 På lager	1 : kr 5,22000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,14474 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	60V	115mA	7.5Ohm ved 50mA, 5V	2V ved 250µA	-	50pF ved 25V	200mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	37 556 På lager	1 : kr 5,22000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,14288 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	20V	630mA	375mOhm ved 630mA, 4.5V	1.5V ved 250µA	3nC ved 4.5V	46pF ved 20V	270mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 660 På lager	1 : kr 5,22000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,15615 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Ikke for nye utførelser	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport	30V	400mA, 200mA	700mOhm ved 200MA, 10V	1.8V ved 100µA	-	20pF ved 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	49 620 På lager	1 : kr 5,44000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 1,15220 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 P-kanal (dobbel)	-	20V	430mA	900mOhm ved 430mA, 4.5V	1V ved 250µA	2.5nC ved 4.5V	175pF ved 16V	250mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	75 064 På lager	1 : kr 5,56000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 1,16502 Tape og spole (TR)	TrenchMOS™	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Ikke for nye utførelser	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	Logikknivåport	20V	800mA	380mOhm ved 500mA, 4.5V	950mV ved 250µA	0.68nC ved 4.5V	83pF ved 10V	500mW	-55°C – 150°C (TJ)	Bilteknikk	AEC-Q101	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	62 865 På lager	1 : kr 5,67000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,25893 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	-	30V	250mA	1.5Ohm ved 10mA, 4V	1.5V ved 100µA	1.3nC ved 5V	33pF ved 5V	272mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	17 622 På lager	1 : kr 5,78000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,29185 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	Komplementær N- og P-kanal	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mOhm ved 3.5A, 10V, 95mOhm ved 3.8A, 10V	2.5V ved 250µA	4.5nC ved 10V, 6.5nC ved 10V	190pF ved 15V, 254pF ved 15V	700mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	58 467 På lager	1 : kr 6,01000 Båndavsnitt (CT) 4 000 : kr 1,30163 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	N- og P-kanal	Logikknivåport	20V	540mA, 430mA	550mOhm ved 540mA, 4.5V	1V ved 250µA	2.5nC ved 4.5V	150pF ved 16V	250mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN Micro Commercial Co	103 963 På lager	1 : kr 6,12000 Båndavsnitt (CT) 3 000 : kr 1,37777 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal	-	30V	5A	32mOhm ved 5.8A, 10V	1.5V ved 250µA	-	1155pF ved 15V	1,4W	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-VDFN-eksponert plate	DFN2020-6L
PMDXB550UNEZ MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Nexperia USA Inc.	31 763 På lager	1 : kr 6,12000 Båndavsnitt (CT) 5 000 : kr 1,28614 Tape og spole (TR)	-	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (metalloksid)	2 N-kanal (dobbel)	-	30V	590mA	670mOhm ved 590mA, 4.5V	950mV ved 250µA	1.05nC ved 4.5V	30.3pF ved 15V	285mW	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflatemontering	6-XFDFN-eksponert plate	DFN1010B-6

Viser

av 5 822

Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.

FET-, MOSFET-matrise

FET-, MOSFET-matrise

INFORMASJON

HJELP

KONTAKT OSS

FØLG OSS