FET-, MOSFET-matrise

Resultater : 5 662
Produsent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®RørTape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (metalloksid)SiCFET (silisiumkarbid)Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N og 2 P-kanal2 N og 2 P-kanal (helbro)2 N og 2 P-kanal tilsvarende par2 N-kanal2 N-kanal (Cascoded)2 N-kanal (dobbel pulsbryter for nedtransformering)2 N-kanal (dobbel)2 N-kanal (dobbel) asymmetrisk2 N-kanal (dobbel) felles drenering2 N-kanal (dobbel) felles kilde2 N-kanal (dobbel) tilpasset par2 N-kanal (dobbel), P-kanal
FET-egenskap
-LogikknivåportLogikknivåport, 0,9V stasjonLogikknivåport, 1.2V stasjonLogikknivåport, 1.5V stasjonLogikknivåport, 1.8V stasjonLogikknivåport, 2.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4V stasjonLogikknivåport, 5V stasjonSilisiumkarbid (SiC)Utarmingsmodus
Drain til Source-spenning
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,46mOhm ved 160A, 12V0,762mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,580mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,710mOhm ved 160A, 12V0.8mOhm ved 1200A, 10V0,88mOhm ved 160A, 14V, 0,71mOhm ved 160A, 14V0,88mOhm ved 50A, 10V0.95mOhm ved 30A, 10V0.95mOhm ved 8A, 4.5V0,99mOhm ved 80A, 10V, 1,35mOhm ved 80A, 10V1,039mOhm ved 160A, 12V, 762µOhm ved 160A, 12V1,2mOhm ved 800A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
10mV ved 10µA10mV ved 1µA10mV ved 20µA20mV ved 10µA20mV ved 1µA20mV ved 20µA180mV ved 1µA200mV ved 2,8A, 200mV ved 1,9A220mV ved 1µA360mV ved 1µA380mV ved 1µA400mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0,4pC ved 4,5V, 7,3nC ved 4,5V0.45pC ved 4.5V0.16nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.26nC ved 2.5V0,28nC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V, 0,3nC ved 4,5V0,3nC ved 4,5V, 0,28nC ved 4,5V0.3nC ved 4.5V0.304nC ved 4.5V0.31nC ved 4.5V0.32nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.5pF ved 5V3pF ved 5V5pF ved 3V6pF ved 3V6.2pF ved 10V6.6pF ved 10V7pF ved 10V7pF ved 3V7.1pF ved 10V7.4pF ved 10V7.5pF ved 10V8.5pF ved 3V
Effekt - maks
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Kapsling
4-SMD, ingen ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN eksponert plate4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørens enhetsforpakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-brikkers LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
5 662Resultater

Viser
av 5 662
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
Teknologi
Konfigurasjon
FET-egenskap
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekt - maks
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Kapsling
Leverandørens enhetsforpakning
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
788 119
På lager
1 : kr 2,84000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,62509
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.2V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
25pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357 851
På lager
1 : kr 2,84000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,63897
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
249 833
På lager
392 500
Fabrikk
1 : kr 2,84000
Båndavsnitt (CT)
2 500 : kr 0,86076
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 P-kanal (dobbel)
Logikknivåport
30V
3,9A
70mOhm ved 5.3A, 10V
3V ved 250µA
11nC ved 10V
563pF ved 25V
1,1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
150 995
På lager
90 000
Fabrikk
1 : kr 3,17000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,29112
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
540mA
550mOhm ved 540mA, 4.5V
1V ved 250µA
-
150pF ved 16V
225mW
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 198
På lager
1 : kr 3,28000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,31160
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal, Felles drenering
Logikknivåport
30V
6A, 5,5A
30mOhm ved 6A, 10V
2.4V ved 250µA
6.3nC ved 10V
310pF ved 15V
2W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
162 472
På lager
1 : kr 3,72000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,67289
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
230mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2V ved 250µA
-
50pF ved 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 155
På lager
1 : kr 3,83000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,03660
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
610mA (Ta)
396mOhm ved 500mA, 4.5V
1V ved 250µA
2nC ved 8V
43pF ved 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
350 086
På lager
1 : kr 3,93000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,70469
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
250mA (Ta)
2.2Ohm ved 100mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
12pF ved 10V
300mW
150°C
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98 130
På lager
1 : kr 3,93000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,05387
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
250mA
1.5Ohm ved 10mA, 4V
1.5V ved 100µA
1.3nC ved 5V
33pF ved 5V
272mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80 560
På lager
1 : kr 3,93000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,65627
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
295mA
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.9nC ved 4.5V
26pF ved 20V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 623
På lager
1 : kr 3,93000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,07289
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
950mA
350mOhm ved 950mA, 4.5V
1.2V ved 1.6µA
0.32nC ved 4.5V
63pF ved 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18 476
På lager
1 : kr 3,93000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,70535
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
320mA
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8nC ved 4.5V
50pF ved 10V
420mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q100
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
12 709
På lager
1 : kr 4,15000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,88866
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
89 999
På lager
1 : kr 4,26000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 1,15407
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
540mA, 430mA
550mOhm ved 540mA, 4.5V
1V ved 250µA
2.5nC ved 4.5V
150pF ved 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52 713
På lager
483 000
Fabrikk
1 : kr 4,26000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,93466
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm ved 3.4A, 10V
1.5V ved 250µA
12.3nC ved 10V
422pF ved 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
432 290
På lager
1 698 000
Fabrikk
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,18000
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
60V
500mA, 360mA
1.7Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.3nC ved 4.5V
30pF ved 25V, 25pF ved 25V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167 542
På lager
2 676 000
Fabrikk
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,78609
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
1,03A, 700mA
480mOhm ved 200mA, 5V
900mV ved 250µA
0.5nC ved 4.5V
37.1pF ved 10V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
93 797
På lager
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,78762
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
30V
100mA
4Ohm ved 10mA, 4V
1.5V ved 100µA
-
8.5pF ved 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 747
På lager
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,18000
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
280mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2.5V ved 250µA
-
50pF ved 25V
150mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24 382
På lager
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,17825
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal
-
30V
5A
32mOhm ved 5.8A, 10V
1.5V ved 250µA
-
1155pF ved 15V
1,4W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-VDFN eksponert plate
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
16 736
På lager
1 : kr 4,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,48827
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
6,2A
30mOhm ved 5.8A, 10V
2V ved 250µA
10.6nC ved 10V
500pF ved 15V
1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-UDFN eksponert plate
U-DFN2020-6 (type B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
96 852
På lager
1 : kr 4,48000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,80744
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
300mA
3Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.6nC ved 10V
20pF ved 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 164
På lager
1 : kr 4,48000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,20937
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
30V
700mA, 500mA
388mOhm ved 600mA, 10V
2.5V ved 250µA
1.5nC ved 10V
28pF ved 15V
340mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346 426
På lager
1 : kr 4,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,82048
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
320mA
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8nC ved 4.5V
50pF ved 10V
420mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
256 927
På lager
1 : kr 4,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,83414
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
300mA (Ta)
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6nC ved 4.5V
50pF ved 10V
295mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Viser
av 5 662

FET-, MOSFET-matrise


Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.