FET-, MOSFET-matrise

Resultater : 5 706
Produsent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®RemseRørTape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (metalloksid)SiCFET (silisiumkarbid)Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N og 2 P-kanal2 N og 2 P-kanal (helbro)2 N og 2 P-kanal tilsvarende par2 N-kanal2 N-kanal (Cascoded)2 N-kanal (dobbel pulsbryter for nedtransformering)2 N-kanal (dobbel)2 N-kanal (dobbel) asymmetrisk2 N-kanal (dobbel) felles drenering2 N-kanal (dobbel) felles kilde2 N-kanal (dobbel) tilpasset par2 N-kanal (dobbel), P-kanal
FET-egenskap
-LogikknivåportLogikknivåport, 0,9V stasjonLogikknivåport, 1.2V stasjonLogikknivåport, 1.5V stasjonLogikknivåport, 1.8V stasjonLogikknivåport, 2.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4.5V stasjonLogikknivåport, 4V stasjonLogikknivåport, 5V stasjonSilisiumkarbid (SiC)Utarmingsmodus
Drain til Source-spenning
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,46mOhm ved 160A, 12V0,762mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,580mOhm ved 160A, 12V0,765mOhm ved 160A, 12V, 0,710mOhm ved 160A, 12V0.8mOhm ved 1200A, 10V0,88mOhm ved 160A, 14V, 0,71mOhm ved 160A, 14V0,88mOhm ved 50A, 10V0.95mOhm ved 30A, 10V0.95mOhm ved 8A, 4.5V0,99mOhm ved 80A, 10V, 1,35mOhm ved 80A, 10V1,039mOhm ved 160A, 12V, 762µOhm ved 160A, 12V1.15mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
10mV ved 10µA10mV ved 1µA10mV ved 20µA20mV ved 10µA20mV ved 1µA20mV ved 20µA180mV ved 1µA200mV ved 2,8A, 200mV ved 1,9A220mV ved 1µA360mV ved 1µA380mV ved 1µA400mV ved 250µA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0,4pC ved 4,5V, 7,3nC ved 4,5V0.45pC ved 4.5V50pC @ 4.5V0.16nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.22nC ved 5V, 0.044nC ved 5V0.26nC ved 2.5V0,28nC ved 4,5V0,28nC ved 4,5V, 0,3nC ved 4,5V0,3nC ved 4,5V, 0,28nC ved 4,5V0.3nC ved 4.5V0.304nC ved 4.5V0.31nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.5pF ved 5V3pF ved 5V5pF ved 3V6pF ved 3V6.2pF ved 10V6.6pF ved 10V7pF ved 10V7pF ved 3V7.1pF ved 10V7.4pF ved 10V7.5pF ved 10V8.5pF ved 3V
Effekt - maks
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Kapsling
4-SMD, ingen ledning4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN-eksponert plate4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørens enhetsforpakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-brikkers LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
5 706Resultater

Viser
av 5 706
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
Teknologi
Konfigurasjon
FET-egenskap
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
Effekt - maks
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Kapsling
Leverandørens enhetsforpakning
392 312
På lager
1 : kr 2,21000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,43369
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
300mA
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6nC ved 4.5V
40pF ved 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
747 839
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,64628
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.2V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
25pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
348 539
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,65772
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
DT2042-04SOQ-7
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
144 170
På lager
1 : kr 3,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,24033
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
540mA
550mOhm ved 540mA, 4.5V
1V ved 250µA
-
150pF ved 16V
225mW
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
169 551
På lager
1 : kr 3,15000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,26000
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal, Felles drenering
Logikknivåport
30V
6A, 5,5A
30mOhm ved 6A, 10V
2.4V ved 250µA
6.3nC ved 10V
310pF ved 15V
2W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SOIC
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 139
På lager
1 : kr 3,26000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,64152
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
320mA
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8nC ved 4.5V
50pF ved 10V
420mW
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q100
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
191 399
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,71383
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
250mA (Ta)
2.2Ohm ved 100mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
12pF ved 10V
300mW
150°C
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
102 435
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
5 000 : kr 0,64562
Tape og spole (TR)
1 : kr 4,62000
Båndavsnitt (CT)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
600mA
620mOhm ved 600mA, 4.5V
950mV ved 250µA
0.7nC ved 4.5V
21.3pF ved 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-XFDFN-eksponert plate
DFN1010B-6
74 994
På lager
1 : kr 3,36000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,66707
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport, 1.5V stasjon
20V
800mA (Ta)
235mOhm ved 800mA, 4,5V, 390mOhm ved 800mA, 4,5V
1V ved 1mA
1nC ved 10V
55pF ved 10V, 100pF ved 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
129 183
På lager
1 : kr 3,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,62720
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
230mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2V ved 250µA
-
50pF ved 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
63 382
På lager
1 : kr 3,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,99582
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
610mA (Ta)
396mOhm ved 500mA, 4.5V
1V ved 250µA
2nC ved 8V
43pF ved 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
60 234
På lager
1 : kr 3,78000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 0,77787
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
500mA, 330mA
630mOhm ved 200mA, 5V
1V ved 1mA
1.23nC ved 4V
46pF ved 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
41 985
På lager
1 : kr 3,78000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,01241
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
250mA
1.5Ohm ved 10mA, 4V
1.5V ved 100µA
1.3nC ved 5V
33pF ved 5V
272mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
36 621
På lager
1 : kr 3,78000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,03068
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
950mA
350mOhm ved 950mA, 4.5V
1.2V ved 1.6µA
0.32nC ved 4.5V
63pF ved 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
126 838
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,16813
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
7A (Ta)
20mOhm ved 7A, 10V
2.3V ved 250µA
20nC ved 10V
600pF ved 15V
1,7W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SOIC
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
101 982
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
5 000 : kr 1,00174
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
Komplementær N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
600mA, 500mA
620mOhm ved 600mA, 4.5V
950mV ved 250µA
0.7nC ved 4.5V
21.3pF ved 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-XFDFN-eksponert plate
DFN1010B-6
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
84 820
På lager
1 : kr 3,89000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,57500
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
20V
485mA
700mOhm ved 600mA, 4.5V
900mV ved 250µA
0.75nC ved 4.5V
-
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
416 880
På lager
1 578 000
Fabrikk
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,09501
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
60V
500mA, 360mA
1.7Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.3nC ved 4.5V
30pF ved 25V, 25pF ved 25V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
60 746
På lager
32 000
Fabrikk
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
4 000 : kr 1,10867
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
N- og P-kanal
Logikknivåport
20V
540mA, 430mA
550mOhm ved 540mA, 4.5V
1V ved 250µA
2.5nC ved 4.5V
150pF ved 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
55 847
På lager
549 000
Fabrikk
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,09991
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
60V
280mA
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2.5V ved 250µA
-
50pF ved 25V
150mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23 886
På lager
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
5 000 : kr 1,05437
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
590mA
670mOhm ved 590mA, 4.5V
950mV ved 250µA
1.05nC ved 4.5V
30.3pF ved 15V
285mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-XFDFN-eksponert plate
DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
17 854
På lager
438 000
Fabrikk
1 : kr 4,10000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,38726
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
-
30V
6,2A
30mOhm ved 5.8A, 10V
2V ved 250µA
10.6nC ved 10V
500pF ved 15V
1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-UDFN-eksponert plate
U-DFN2020-6 (type B)
MCMNP2065A-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
14 875
På lager
1 : kr 4,20000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,13190
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal
-
30V
5A
32mOhm ved 5.8A, 10V
1.5V ved 250µA
-
1155pF ved 15V
1,4W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-VDFN-eksponert plate
DFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
8 496
På lager
1 : kr 4,20000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 1,40781
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport
60V
370mA
1.4Ohm ved 340mA, 10V
2.5V ved 250µA
1.4nC ved 10V
18.5pF ved 30V
510mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
165 992
På lager
1 : kr 4,31000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,81421
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metalloksid)
2 N-kanal (dobbel)
Logikknivåport, 0,9V stasjon
50V
200mA
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
26pF ved 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
Viser
av 5 706

FET-, MOSFET-matrise


Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheter som bruker et elektrisk felt for å styre strømflyten. Påføring av spenning på gate-terminalen endrer konduktiviteten mellom drain og source-terminalene. FET-er er også kjent som unipolare transistorer siden de involverer operasjon av bare én ladningsbærertype. Det vil si at FET-er bruker elektron eller hull som ladningsbærere i driften sin, men ikke begge. Felteffekttransistorer viser generelt veldig høy inngangsimpedans ved lave frekvenser.