Name: SQS415ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS415ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 20.1 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQS415ENW-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQS415ENW-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 40 V 16A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8W
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	16A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	16.1mOhm ved 12A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	82 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4825 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	62,5W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 1212-8W
Kapsling	PowerPAK® 1212-8W
Baseproduktnummer	SQS415