Name: SIRC18DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRC18DP-T1-GE3TR-ND
Price: 17.2125 NOK
Availability: OutOfStock

Prøv betaversjonen

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIRC18DP-T1-GE3
Digi-Keys produktnummer	SIRC18DP-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIRC18DP-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIRC18DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIRC18DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	70 Uker
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 60A (Tc) 54,3W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Kundereferanse
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg
Kategori	Frittstående (diskrete) halvlederprodukter Transistorer - FET, MOSFET - enkle
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Pakking	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.1mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	111 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+20V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5060 pF @ 15 V
FET-egenskap	Schottky-diode (hoveddel)
Effekttap (maks)	54,3W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8
Baseproduktnummer	SIRC18