Name: ISC012N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC012N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 12.5625 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISC012N03LF2SATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC012N03LF2SATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISC012N03LF2SATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISC012N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISC012N03LF2SATMA1
Beskrivelse	ISC012N03LF2SATMA1
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 43A (Ta), 270A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-62
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC012N03LF2SATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	43A (Ta), 270A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1,28mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,35V ved 80µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	104 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4700 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 167W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-62
Kapsling	8-PowerTDFN

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 2 090

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®