Name: IAUC50N08S5N102ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC50N08S5N102ATMA1TR-ND
Price: 20.9875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUC50N08S5N102ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUC50N08S5N102ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUC50N08S5N102ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUC50N08S5N102ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUC50N08S5N102ATMA1
Beskrivelse	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 50A (Tj) 60W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-33
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUC50N08S5N102ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tj)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	10,2mOhm ved 25A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3,8V ved 24µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	21 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1394 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	60W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-33
Kapsling	8-PowerTDFN