Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 1.82175 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

G2K2P10D3E
DigiKeys produktnummer	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Goford Semiconductor
Produsentens produktnummer	G2K2P10D3E
Beskrivelse	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) Overflatemontering 8-DFN (3,15x3,05)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Goford Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	210mOhm ved -6A, -10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	33 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1668 pF @ -50 V
Effekttap (maks)	31W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-DFN (3,15x3,05)
Kapsling	8-PowerVDFN